Заказ
  PHP скрипты   NEW
Правила написания
Студенту
Банк Рефератов
# A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я
Телефонные справочники
Выбор города:
А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Онлайн телефонные справочники
Выбор города:
А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Х Ш Э Ю Я

скачай готовый реферат
A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я

Лабораторные по проектированию РЭС



Тема: Лабораторные по проектированию РЭС
Вид реферата: реферат
Дисциплина: Радиоэлектроника
Оценка: Отлично/Хорошо
Формат: Microsoft Word документ
Сжатие: ZIP архив
Создан: 10 февраля 2007 года
Уникальность: 100%


скачать реферат Лабораторные по проектированию РЭС


Исходные данные к циклу лабораторных работ
Назначение МЭА: контрольно-измерительная.
Условие эксплуатации: бортовые, самолетные.
Максимальная температура окружающей Среды: 400 С.
Сложность электрической схемы в эквивалентных усилителях и/или вентилях:
5000
Тип схемы аналогово-цифровая. Средний коэффициент объединения по входу одного вентиля к1=2.
Уровень интеграции микросхем, Jc=75.
Элементная база МЭУ: бескорпусные полупроводниковые микросхемы с размерами кристаллов Iкр х Вкр=2х2 мм; уровень интеграции кристалла Jк=5; выводы кристаллов – гибкие.
Типы корпусов МЭУ: согласно ГОСТ 17467-79.
Способы установки МЭУ на платах: Двухсторонний.
Базовая технология изготовления МЭУ: Толстопленочная.
Вариант конструкции блока МЭА: Книжная.
Техническая долговечность: 5 лет.
Вероятность безотказной работы МЭА в конце срока эксплуатации: 0,90.
Коэффициент эксплуатации МЭА, (:0,3.
Серийность производства МЭА: 100.

Постановка задачи разработки конструкции МЭУ
Необходимо разработать принципиальный вариант конструкции МЭУ, исходя из определенных условий. В качестве исходных, используются следующие данные:

В качестве исходных используются следующие данные: длина кристалла: lк=2 мм; ширина кристалла: Bк=2 мм; уровень интеграции кристалла: Jк=5; уровень интеграции МЭУ: Jc=75; минимальное допустимое расстояние от края кристалла до контактной площадки: с=0,4мм; сторона квадрата контактной площадки: а=0,25 мм; минимальное допустимое расстояние между пленочными элементами: d1=0,1 мм; минимальная ширина пленочного соединительного провода: а1=0,1 мм.

Алгоритм проектирование МЭУ
Этапы разработки
| | |
|Проектирование посадочного места навесного элемента |Синтез |

| | |
|Определение числа рядов и столбцов посадочных мест |Анализ |

| | |
|Определение минимальных шагов установки навесных |Принятие решения |
|элементов | |

| | |
|Выбор размеров подложки и типов корпусов |Принятие решения |

| | |
|Уточнение размеров подложки и типа корпуса |Анализ |

Проектирование посадочного места навесного элемента (НЭ)
Исходные данные: l=2 мм, длина навесного элемента; c=0,4 мм, расстояние между НЭ и выводами; а=0,25 мм, длина контактной площадки под выводы; b=2 мм, ширина НЭ; a1=0.1 мм, расстояние между выводами; u=0,25 мм, ширина контактной площадки под выводы;
Мк=5, количество задействованных выводов НЭ.
Результаты:
Мкв=32, максимальное количество контактных площадок под выводы вокруг кристалла;
Lов =3,3 мм, длина посадочного места кристалла;
Bов=3,3 мм, ширина посадочного места кристалла.

В приложении 1 приведен эскиз посадочного места кристалла с гибкими выводами

Определение числа рядов и столбцов посадочных мест
Исходные данные:
Nк =15, число НЭ на подложке.
Результаты:
Mx=3, количество горизонтальных рядов кристаллов на плате;
My=5, количество вертикальных столбцов.
Определение минимальных шагов установки навесных элементов
Исходные данные: d1=0,1 мм, минимальная ширина пленочного соединительного провода.
Результаты: hxmin=3,6, минимальный шаг установки по горизонтали кристаллов; hymin=3,6, минимальный шаг установки по вертикали;
M1=67, число проводников в первом слое;
M2=13, число проводников во втором слое;
M1L=34, число вертикальных линий, на которых группируются проводники первого слоя;
M2L = 17, число горизонтальных линий, на которых группируются проводники второго слоя.

Выбор размеров подложки и типов корпусов МкСБ.
Принятие решения: выводы микросборки располагаются вдоль больших сторон
МкСБ.
Исходные данные: d1 = 1мм. , размер технологической зоны.
Mмс = [pic], кол-во задействованных выводов МЭУ.
Результаты:
Lmin = 18,3 мм. , длина подложки;
Bmin = 15,83 мм. , ширина подложки.
По критериям Lmin( L и Bmin( B выбираем корпус МЭУ:
| | | | |Максим. |Разм.полезно|Масса|
|Наимено-|Тип|Выводы |Габаритн. |шаг |й |, |
| | | |разм., |уста-новки|внутр.полост|г |
|вание |кор| |мм |, мм |и, | |
| |- | | | |мм | |

корпуса |пуса |тип |кол. |lx |ly |lz |lx1 |ly1 |l |в |z |G | |155.15-1 |МС
|ШТ |14 |29,5 |19,5 |5,0 |40,0 |25,0 |25,0 |15,0 |2,0 |5,0 | |МС — металлостеклянный;
ШТ — штыревые;

2. Уточнение размеров подложки и типа корпуса.
Исходные данные: h = 0,1мм. , шаг координатной сетки топологии коммутационной пленочной платы.
Результаты:
Lmin=14,7мм. , длина полезной внутренней полости корпуса МЭУ;
Bmin= 6,8мм. , ширина полезной внутренней полости корпуса МЭУ;
Мкс=13, кол- во задействованных выводов МЭУ.
Корпус: 155.15-1 , выбранный корпус.

4. Выводы по работе:
В данной работе было спроектировано посадочное место навесного элемента, определено число рядов и столбцов посадочных мест, минимальных шагов установки кристаллов. Также был выбран вид расположения выводов микросборки и тип корпуса МЭУ.

-----------------------

МГАПИ

Лабораторная работа

Группа ПР-7

Специальность 2008

Студент

.




Справочники

Москва
Санкт-Петербург
Ангарск
Братск
Бугульма
Великие Луки
Владивосток
Владимир
Волгоград
Волжский
Воронеж
Вязьма
Екатеринбург
Златоуст
Иваново
Иркутск
Казань
Калуга
Кемерово
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Ленинск-Кузнецкий
Ливны
Липецк
Магадан
Магнитогорск
Набережные Челны
Нальчик
Находка
Нижний Новгород
Нижний Тагил
Новосибирск
Новочеркасск
Новый Уренгой
Омск
Орёл
Орехово-Зуево
Петрозаводск
Печора
Ростов-на-Дону
Самара
Саратов
Тюмень
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Череповец
Ярославль





© Все права защищены. © All right reserved.